研究・産学官連携

第2回公開シンポジウム 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 -青からパワーへ 離陸する革新的省エネ技術-一覧

  • 2018/5/16
2016年度に始まった「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」では、日本発の窒化ガリウム(GaN)材料を用いてデバイスの省エネルギー化をめざす研究開発を進めてきました。

GaNを使った高効率なパワーデバイスは、日常生活やインフラの省エネ化を、
GaNを使った高効率な光源は、安心・安全な生活・環境を世界に広げます。
GaNには、エネルギーや空間の未来を変えていく、大きな可能性があります。  

今年は本プロジェクトの中間年。本学の竹内哲也教授も天野浩特別栄誉教授/名古屋大学大学院教授らと共に研究を進めてきました。これまで得られた、世界初などの革新的な研究成果をご紹介するとともに、今後の研究開発の方向性、成果をどのように産業へ応用し、社会実装へ結びつけていくか、議論・討論を行います。

第2回公開シンポジウム
開催日時 2018年5月16日(水)14:00~17:00
会場 学術総合センター 一橋講堂
東京都千代田区一ツ橋2-1-2 学術総合センター内
申込方法 下記、申し込みサイトよりお申し込みください。(参加費無料)

内容 (1)開会挨拶 文部科学省
(2)来賓挨拶
(3)事業概要
(4)成果報告
・中核拠点(名古屋大学)
・評価基盤領域(物質・材料研究機構)
・パワーデバイス・システム領域(名古屋大学)
・レーザーデバイス・システム領域(名城大学)
(5)パネルディスカッション「GaNが作る未来社会」
谷口研二プログラムディレクター(大阪大学)
天野浩教授(名古屋大学)
他 GaN関連の産業界から
(6)閉会挨拶 文部科学省
主催 文部科学省
お問い合わせ先 国立大学法人名古屋大学 シンポジウム担当
TEL:052-789-4685 FAX:052-747-6796
E-MAIL:gan-oubo●aip.nagoya-u.ac.jp(●を@に変えてください)
  • 私立大学研究ブランディング事業「名城大学の光デバイス研究」
  • 名城大学研究シーズ集
  • ひらめき☆ときめきサイエンス
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