在学生・教職員/受賞 理工学研究科の袴田さんがInternational Workshop on UV Materials and Devices 2017で若手研究者賞

受賞者 袴田淳哉さん(理工学研究科 材料機能工学専攻 修士課程2年 赤﨑勇終身教授、上山智教授、竹内哲也教授、岩谷素顕准教授研究室)
受賞名 International Workshop on UV Materials and Devices 2017
Best Young Scientist Award(若手研究者賞)
受賞日
開催地
2017年11月14-17日
九州大学医学部 百年講堂(福岡市)
受賞
テーマ
Optical properties of AlGaN-based MQW on sputtered and annealed AlN/sapphire template
International Workshop on UV Materials and Devicesは、深紫外領域の光材料や光デバイスに関する研究についての講演会で、今回は250人以上の研究者が参加し、150件以上の発表が行われました。今回、高品質AlGaN系半導体材料の結晶成長についての発表を行いました。
深紫外領域の発光デバイスにおいて、サファイア基板上に転位の少ない高品質AlNを作製する技術はデバイス特性の向上という観点において重要な要素です。近年、AlN薄膜の高温アニールによる結晶の高品質化が報告され、その作製コストの低さや結晶品質について注目を集めています。
本研究では、スパッタリング法と高温アニール技術の併用により作製したサファイア基板上AlNにMOVPE法を用いて結晶成長を行い、高品質なAlNおよびAlGaN混晶の作製に成功しました。さらに、得られた結晶上に活性層を形成し、その光学特性についても評価を行いました。それらの成果が高く評価され今回の受賞につながりました。
今後は、結晶品質向上の詳細なメカニズム解析や電流注入型深紫外レーザ発振の実現に向けて研究に取り組みます。

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