トップページ/ニュース 理工学研究科の吉川さんが窒化物半導体結晶成長講演会で発表奨励賞

受賞者 吉川陽さん(理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻博士後期課程2年)
受賞名 第8回窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞
受賞日
開催地
2016年5月9、10日
京都大学 桂キャンパス
受賞
テーマ
Nano-size concavo-convex (NCC)サファイア基板を用いた高品質AlN膜成長
日本結晶成長学会・窒化物半導体結晶成長講演会で発表奨励賞を受賞しました。本講演会は、今年が8回目の開催で、国内の各研究機関の若手研究者が集結する講演会で、今年は140人以上が参加しました。
近年、殺菌用途の高出力な深紫外LED開発が加速しています。深紫外LEDの発光強度と転位密度には密接な相関があり、転位の少ない高品質なAlN をサファイア基板上に形成する技術の要求は年々高まっています。これまで超高温成長、原料パルス供給などが本グループをはじめ世界中の研究機関によって進められてきました。その一方で、コスト・安定性・結晶品質などにおいてどの手法も一長一短があり、さらなる結晶成長技術の開拓が必要とされてきました。
本報告では、我々は特殊環境でのアニールによって自発的に形成されるナノパターン(NCC)サファイア基板を用いることで従来の検討に比べて、結晶性が大幅に向上することを見出し、その結果が高く評価され受賞につながりました。今後は、同AlNの有用性を様々なデバイスの観点から評価を進め、研究を発展させていきたいと考えています。

FEATURE

  • 名城大学祭
  • 吉野彰ノーベル化学賞受賞
  • MEIJO MAG
  • 名城大学チャレンジ支援プログラム
  • HELLO WORLD!
  • MEIJO DIAMOND
  • 名城サポーターズ募金
  • ナゴヤドーム前キャンパス
  • 社会連携センターPLAT
  • MS-26 学びのコミュニティ