特設/ニュース 理工学研究科の吉川さんがBest Young Scientist Awardを受賞

受賞者 吉川陽さん(理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻博士課程1年、赤﨑勇終身教授・上山智教授・竹内哲也教授・岩谷素顕准教授研究室)
受賞名 The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides Best Young Scientist Award
受賞日
開催地
2015年11月12日
アクトシティ浜松
受賞
テーマ
High photosensitivity AlGaN-based UV hetero-field-effect-transistor-type photosensors
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(第6回窒化物半導体結晶成長国際会議)は参加者が450人、論文数が293件という大きな国際シンポジウムであり、世界中からトップレベルの研究者が集まる学会の1つです。殺菌用途の高出力な深紫外LEDが製品化されるにつれて、高感度深紫外センサへの要求が高まっています。従来は光電管やSi-photo-diodeなどが用いられてきましたが、感度、価格、耐久性などに問題がありました。本研究課題では、窒化物半導体の特長である2次元電子ガスとpn接合による空乏層作製技術を活用することによって、従来比で数桁受光感度の高いデバイスの実現が可能であることを見出し、その結果が高く評価されました。

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