トップページ/ニュース 理工学研究科の松井さんがYoung Scientist Awardを受賞

受賞者 松井健城さん(理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻博士後期課程2年、赤﨑勇終身教授・上山智教授・竹内哲也教授・岩谷素顕准教授研究室)
受賞名 The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides Young Scientist Award
受賞日
開催地
2015年11月12日
アクトシティ浜松
受賞
テーマ
GaN-based VCSELs using Periodic Gain Structures
浜松で行われた第6回窒化物半導体結晶成長国際会議(ISGN-6)で松井健城さんがYoung Scientist Awardを受賞しました。III族窒化物半導体を用いた発光ダイオード(LED)は、長寿命・高効率・小型といった優れた特徴を持つ一方、自動車のヘッドライトのような高出力が必要な場合では、その発光効率が低下してしまう現象が報告されています。これは、窒化物半導体LEDの特有の課題であり、本質的な解決は難しいとされています。本研究では、二つの発光層への電子・正孔注入を制御し、低閾値電流化を目指した周期利得構造を導入することで、窒化物半導体面発光レーザの実現に成功しました。

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