移行用／ニュース 理工学研究科の安田さんがナノ構造・エピタキシャル成長分科会で発表奨励賞
| 受賞者 | 安田俊輝さん（理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻博士後期課程1年、上山智教授・岩谷素顕准教授・竹内哲也准教授研究室） |
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| 受賞名 | 日本結晶学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会発表奨励賞 |
| 受賞日 開催地 |
2014年7月25、26日 名城大学天白キャンパス |
| 受賞 テーマ |
窒化物半導体LEDにおける正孔伝導に対する分極電荷の影響 |
| 本研究では、窒化物半導体特有の巨大分極電荷に着目し、発光効率向上が求められている紫外LEDの性能改善を目指して、組成を意図的に傾斜させたAlGaN層による新しい分極電荷の制御手法を理論的および実験的に明らかにしました。今後は、この手法を発展させた素子構造全体にわたる新しい設計手法の確立と、それによる高効率深紫外LEDの実現が期待できます。 | |
