在学生・教職員/ニュース 理工学研究科生がナノ構造・エピタキシャル成長分科会で発表奨励賞を受賞

受賞者 山本泰司さん(理工学研究科材料機能工学専攻修士課程1年、岩谷素顕准教授研究室)
受賞名 日本結晶学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会発表奨励賞
受賞日、
開催地
2013年6月22日
大阪大学銀杏会館
研究発表
テーマ
その場観察X線回折法によるGaInN/GaN超格子構造の評価
6月21日から22日にかけて、大阪大学吹田キャンパスで開かれたナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催第5回窒化物半導体研究会において、本学大学院理工学研究科材料機能工学専攻修士課程1年の山本泰司さん(岩谷素顕研究室)が発表奨励賞を受賞しました。
ナノ構造・エピタキシャル成長分科会(略称:ナノエピ分科会)は、日本結晶成長学会の中に設置される分科会の一つで、ナノ構造作製およびエピタキシャル成長に関する技術の進歩・発展を支援することを目的としています。同賞は、ナノエピ分科会の講演会において、結晶成長および関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手会員に対して贈られるものです。山本さんは、研究にはいろいろと困難もありましたが認められてうれしいと喜びを語りました。本研究は、アメリカで開催されたThe 19th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy等でも口頭発表されており、今後さらなる発展も期待されます。
※同論文は、名古屋大学・赤﨑記念研究センターとの共著になります。
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