移行用/ニュース 理工学研究科生が窒化物半導体研究会で発表奨励賞を受賞

4月27日から28日にかけて、東京都目黒区・東京大学駒場キャンパスで開かれたナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催第4回窒化物半導体研究会 (プレIWN)において、本学大学院理工学研究科材料機能工学専攻修士課程1年の石黒真未さん(岩谷素顕研究室)が発表奨励賞を受賞しました。

ナノ構造・エピタキシャル成長分科会(略称:ナノエピ分科会)は、日本結晶成長学会の中に設置される分科会の一つで、ナノ構造作製およびエピタキ シャル成長に関する技術の進歩・発展を支援することを目的としています。同賞は、ナノエピ分科会の講演会において、結晶成長および関連の研究の発展に貢献 する優秀な論文を発表した若手会員に対して贈られるものです。石黒さんの講演タイトルは「p型GaInNを用いた高感度なFET型光センサーに関する研究 (※1)」。受賞について石黒さんは「研究成果が評価され大変うれしい」と喜びを語りました。

石黒さんの研究は、窒化物半導体を用いた高感度受光素子に関するもので、半導体受光素子で世界最高性能を実現しつつあります。現在、デバイスの作 製と評価を主に行っており、札幌で開催されるこの分野では最も権威のあるInternational workshop on nitride semiconductorsやアメリカで開催されるPhotonics westで発表予定です。

(※1)同論文は、名古屋大学・赤﨑記念研究センターとの共著になります。

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