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No.1 MOCVD装置

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No.2 有機金属気相成長MOCVD装置

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No.3 スパッタリング装置

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No.4 マスクアライナー装置

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No.5 高真空蒸着装置

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No.6 熱処置装置

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基板作製	詳細はこちら

No.7 赤外線ランプアニール装置

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No.8 片面高速ラッピング装置

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No.9 横型平面研削装置

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No.10 Sapphire・SiCウェハ切断加工用レーザスクライブ装置

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No.11 PLと透過率ウェハPLマッピング装置

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No.12 微分干渉顕微鏡

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基板作製 LED結晶成長 LEDデバイスプロセス LED実装及び評価	詳細はこちら

No.13 薄膜材料評価用X線回折装置

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No.14 触針式表面形状測定器

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No.15 3CCDカラーコンフォーカル顕微鏡

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LED結晶成長 LEDデバイスプロセス	詳細はこちら

No.16 全固体連続発振UVレーザ

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基板作製 LED結晶成長

No.17 カソードルミネッセンス観察分析システム

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No.18 SiCライフタイム測定装置

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基板作製 LED結晶成長

No.19 ナノインプリント装置

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No.20 膜厚モニター

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LED結晶成長 LEDデバイスプロセス

No.21 積分球

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LED実装及び評価

No.22 LEDテスター

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LED実装及び評価

No.23 スピンコーター

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LEDデバイスプロセス

施設・研究室（レンタルルーム）利用料金

施設利用料金

料金内容	大企業	中小企業
施設利用登録料（年）	500千円	200千円
研究員登録料（人・年）	400千円	400千円

※大企業、中小企業の区分は、中小企業庁の定義による。

※登録料は、3年毎に見直す。

※共同研究期間は、月単位も可能とし、その場合の登録料は月割とする。なお、支払金額百円の位以下は切り捨てとする。

研究室（レンタルルーム）利用料金

料金内容	1坪当たり（3.3㎠）
研究室基準利用料(月)	賃料 8,000円
研究室基準利用料(月)	共益費 1,800円

※利用料が、1月に満たない場合は日割算定とする。なお、支払金額百円の位未満は切り捨てとする。

No.6 熱処置装置

概要

高周波誘電加熱方式による熱処理装置
結晶、電極の熱処置に使用
PCによる制御及びデータの記録が可能
高精度な圧力制御が可能
コイル可動可能（成長中に温度勾配の変更可能）
高周波電源が本体内蔵のためコンパクト

主な仕様

対応ウェハサイズ	2、3、4inch
加熱温度	MAX2500℃
雰囲気	真空、Ar、N2、He
到達圧力	1.33×10^-3㎩
圧力制御範囲	1～760 Torr (×133㎩）
測温	放射温度計による測温

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No.12 微分干渉顕微鏡

概要

LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式	LV150 （落射照明専用機）	LV100D （落射照明/透過照明両用機）
観察法	明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒	三眼鏡筒（デジカメ装着可能）
ステージ移動量	150×150mm （ウェハホルダー/ESDプレート）	150×100mm （ガラスプレート）
総合倍率	50、100、200、500、1000×

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No.1 MOCVD装置

概要

LED成長過程リアルタイムX線評価MOCVD装置

LEDエピタキシャル膜の成長に使用
高温成長対応可（～1400℃）
成長中のXRD測定が可能（結晶構造の解析）
基板サイズ：2inch×3枚

概要

MOCVD装置用in-situモニタ装置

半導体構造成長中に基板成長速度、膜厚、基板反り等を測定し、最適な成長条件の制御に使用

概要

LED成長過程リアルタイムX線評価装置

MOCVD成膜装置内の基板上に形成された薄膜をX線反射率測定による膜厚分析、およびX線回折装置による結晶配向性のin-situ測定が可能な分析評価装置

主な仕様

対応ウエハサイズ	2inch×3、 3inch×1、 4inch×1
ヒーター温度	1400℃
その場観察装置	Laytec epiTT Two(反射率、曲率、温度の測定) In-situ X-ray(反射率、格子定数、熱膨張)
使用原料	TMGa×2、TMIn×2、TEGa×1、TMA×1、Et-Cp₂Mg、TMSi×1、NH₃×2、N₂、H₂

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No.2 有機金属気相成長MOCVD装置

概要

LEDエピタキシャル膜の成長に使用
シャワーへッドノズルを使用
Argasシステムによるサセプタ面内の温度モニタリングが可能
2inch×3枚同時成長が可能
装置サイズが非常にコンパクト

主な仕様

対応ウェハサイズ	2inch×3、3inch×1、4inch×1
ヒーター温度	1400℃
その場観察装置	Laytec（成長温度及び表面の反射率測定） Argas（サセプタの温度マッピング） Epison（原料使用量測定）
使用原料	TMGa×2、TMAl×2、TMIn×2、TEGa×1、Et-CP₂Mg×1、TＭSi×1、NH₃、N₂、H₂

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No.11 PLと透過率ウェハPLマッピング装置

概要

LEDウェハのフォトルミネセンス（PL)特性や、エピ膜の膜厚を透過光により高速に測定し、マッピング可能
高感度分光器

主な仕様

対応ウェハサイズ		2、3、4inch
マッピング間隔		0.04mm(0.1mm精度）
透過光による測定		精度 1%以内
透過光による測定		再現性 10㎚以内
PL測定	測定項目	ピーク波長／相対積分強度／相対ピーク強度／半値幅(FWHM)／主波長（CIE波長）
	波長解像度	～0.3㎚(ただしUVNIR-HISENSでは～0.7㎚、NIRでは～2.0㎚)
	光強度精度	3％ (相対ピーク強度/相対積分強度・YWafer強度校正機能使用時)
	最小半値幅	～1.5㎚

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No.12 微分干渉顕微鏡

概要

LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式	LV150 （落射照明専用機）	LV100D （落射照明/透過照明両用機）
観察法	明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒	三眼鏡筒（デジカメ装着可能）
ステージ移動量	150×150mm （ウェハホルダー/ESDプレート）	150×100mm （ガラスプレート）
総合倍率	50、100、200、500、1000×

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No.13 薄膜材料評価用X線回折装置

概要

X線回折法により大面積サンプルにおいてLEDの原子レベルでの界面急俊性を短時間に評価すること可能
多機能高精度水平ゴニオメーター内蔵
X線回折法により薄膜の結晶性評価が可能

主な仕様

対応ウェハサイズ	2inch、3inch、（4inch）
測定モード	ロッキングカーブ測定（In-planeでの測定も可能）、反射率測定、逆格子空間マッピング測定
測定データの解析方法	Global Fit 拡張ロッキングカーブソフトウェア（パラレルテンパリング法）
モノクロメータ結晶	Ge(400)2結晶、Ge(400)4結晶
波長単色性	Kα1

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No.15 3CCDカラーコンフォーカル顕微鏡

概要

ＧaN系LED構造結晶の構造観察および結晶形状測定を行うことが可能
ピエゾ素子を用いたことにより、Z方向（高さ）の分解能が1㎚とAFM並の平坦性精度を保障
焦点移動メモリー方式

主な仕様

主な仕様	コンフォーカルモード	干渉計モード
Ｚ分解能	100㎚	1㎚
解像度	高	低
対物レンズ倍率	MAX100倍	MAX50倍

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No.17 カソードルミネッセンス観察分析システム

概要

高電流のフィールドエミッション電子銃を備え、高解像度にて、結晶欠陥の観察が可能

主な仕様

主な仕様		SEM仕様
対応ウエハサイズ		～4inch
加速電圧		0.5～30㎸
電子銃		ZrO/W ショットキーエミッション型電子銃
装置特徴	5軸モータステージ	X-Y移動の制御はトラックボールにて可能。Z軸移動時にフォーカスが自動追従。
	ExB搭載	二次電子検出器の検出効率を上げる際に生じやすい一次電子の軸ズレを防止し、高い検出効率を確保。
	OXFORD	SEMの高い分解能を保持したままでのCL検出が可能。
	INSTRUMENTS社製 CL mapping装置搭載	非常に明瞭な像による各種評価を実現。

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No.19 ナノインプリント装置

概要

高スループットにて2種類の方法でナノパターン形成が可能
ドライエッチングとの組み合わせで、半導体ナノ構造の作製ができる

主な仕様

対応ウエハサイズ	～4inch
対応材料	熱可塑性樹脂・UV硬化性樹脂
装置特徴	熱式/UV式の切り替えが容易樹脂の特性によって装置を熱印加方式・UV照射方式に切り替えることが可能。熱式/加熱最高温度:250℃,最大荷重力:50kN UV式/波長:365㎚,照度:30㎽/㎠

対応ウエハサイズ

～4inch

対応材料

熱可塑性樹脂・UV硬化性樹脂

装置特徴

熱式/UV式の切り替えが容易

樹脂の特性によって装置を熱印加方式・UV照射方式に切り替えることが可能。
熱式/加熱最高温度:250℃,最大荷重力:50kN
UV式/波長:365㎚,照度:30㎽/㎠

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No.3 スパッタリング装置

概要

LEDや半導体レーザーに必要な誘導体や金属の製膜に使用
広範囲に膜厚分布が良いスパッタ源を標準搭載（170±5%（SiO₂））
低温でも高温でも成膜が可能
クリーンなサイドスパッタとロードロック室を装備

主な仕様

主な仕様	i-Miller
スパッタ方式	サイドスパッタ
スパッタ源	φ3inch×3
ホルダーサイズ	φ200
到達圧力	5×10^-4㎩(2×10^-5㎩)
排気時間（10分で）	7×10^-3㎩
排気操作方式	自動 (全自動)
スパッタ操作方法	手動（全自動）
電源	RF500W(DC1㎾)
加熱温度	300℃
エッチング	RF500W
本体寸法	W1250×D811×H1582

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No.4 マスクアライナー装置

概要

LEDや半導体レーザーの電極パターニングの形成に使用
㎛オーダーの微細パターニングが可能
フィードバック回路により高い露光量再現性を実現

主な仕様

対応ウェハサイズ		2、3、4inch（不定形にも対応可）
照度仕様	照度径	130mm
	照度	13㎽/㎠
	照度分布	±5㎛
装置特徴		マルチミラー光源による光の回折効果を低減

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No.5 高真空蒸着装置

概要

高真空下で、金属を昇華させ、ターゲットに製膜する装置。LEDの電極形成に用いる。
12枚用ホルダで多数枚処理が可能
金属は7ターゲット同時投入可能で多層膜成膜も容易

主な仕様

ウェハホルダー		自転型プラネタリ方式（12スロット)
対応ウェハサイズ		2、3、4inch(不定形にも対応可)
成膜精度		設定膜厚±5％
装置特徴	ターゲット搭載数	EB源：4スロット、抵抗加熱源：3スロット
装置特徴	真空排気能力	クライオポンプ搭載：1E^-4[㎩]まで約30[min]で到達

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No.7 赤外線ランプアニール装置

概要

LED素子及び成膜素子を急加速熱によってアニール処理を行うこと可能
ランプ出力を独立制御することにより面内における温度均一性が高い
上部下部ランプ加熱方式

主な仕様

対応ウェハサイズ	2、3、4inch(不定形にも対応可)
昇温仕様	温度範囲：RT～1100℃
	昇温速度：30℃/sec
	均熱精度：ΔT=10℃
装置特徴	搭載ガスライン N₂:2L/min(MAX)、O₂:2L/min(MAX)

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No.12 微分干渉顕微鏡

概要

LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式	LV150 （落射照明専用機）	LV100D （落射照明/透過照明両用機）
観察法	明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒	三眼鏡筒（デジカメ装着可能）
ステージ移動量	150×150mm （ウェハホルダー/ESDプレート）	150×100mm （ガラスプレート）
総合倍率	50、100、200、500、1000×

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No.14 触針式表面形状測定器

概要

直径150mm以下の基板上の膜厚段差、表面粗さ、うねりなどの表面形状を高精度に測定
高剛性のキャストフレームと実績のあるセンサヘッドで、安定した測定再現性を実現
測定距離は55mmまで設定でき、段差以外に基板の表面粗さやうねりの解析も可能
触針の交換は、専用治具を利用して簡単

主な仕様

主な仕様	手動ステージタイプ
垂直分解能/測定レンジ	0.1㎚/6.5㎛、1㎚/65.5㎛、8㎚/524㎛（オプション：16㎚/1mm）
膜厚測定再現性	1σ = 0.6㎚以下
測定距離	50㎛～55mm
サンプリングデータ数	最大120,000点
触針圧	1～15mg（オプション：0.03～15mg）
サンプルステージ直径	150mm
最大サンプル厚	85mm
ステージ移動範囲	X：+75mm、－25mm 手動
	Y：±50mm 手動
	θ：360°手動
サンプル観察	カラーズームカメラ : 視野0.67～4.29mm(±10%）
サンプル観察	17型モニタ上の倍率 : 514倍～80倍(±10%）
操作環境（OS)	Microsoft® WindowsXP (英語版)

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No.15 3CCDカラーコンフォーカル顕微鏡

概要

ＧaN系LED構造結晶の構造観察および結晶形状測定を行うことが可能
ピエゾ素子を用いたことにより、Z方向（高さ）の分解能が1㎚とAFM並の平坦性精度を保障
焦点移動メモリー方式

主な仕様

主な仕様	コンフォーカルモード	干渉計モード
Ｚ分解能	100㎚	1㎚
解像度	高	低
対物レンズ倍率	MAX100倍	MAX50倍

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No.8 片面高速ラッピング装置

概要

ウェハの鏡面仕上げを行う装置
数種のダイヤモンド砥粒を使い分けることにより、非常に高い表面平坦性が確保できる
荷重調整により、安定した研磨レートを実現

主な仕様

対応ウェハ材質		Sapphire、SiC、Si
対応ウェハサイズ		2、3、4inch(不定形にも対応可)
保障精度		設定膜厚±3㎛以内
装置特徴	300mmφ・錫定盤	大型定盤仕様により大型ウェハに対して、非常に面内分布均一性が向上
	荷重制御	ワークのサイズに合わせた、加工時の印可荷重を設定可能
	ダイヤモンドスラリー	目標加工精度に応じてスラリー粒径を選択可能

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No.9 横型平面研削装置

概要

LED基板を研削し、膜厚調整を行う。実装工程他各種検討に必要不可欠な装置である
ダイヤモンド砥石を用い、Sapphire、SiC等を容易に研削可能
間欠送り機構により難削材に対してもダメージを抑えた加工を実現
ゼロタッチモード搭載で、非常に高い研削量制御性を確保

主な仕様

対応ウェハ材質		Sapphire、SiC、Si
対応ウェハサイズ		2、3、4inch(不定形にも対応可)
保障精度		設定膜厚±10㎛以内
装置特徴	ZERO touchシステム	砥石とワーク接触時の付加を検知し、加工開始点を補正⇒設定加工量に対し、高精度な加工を実現
装置特徴	間欠送り	ワーク送りを間欠化し、ワークへのダメージを軽減

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No.10 Sapphire・SiCウェハ切断加工用レーザスクライブ装置

概要

LED素子のチップ化を行う装置で、従来のダイヤモンド刃型のタイプに比べ、ダメージフリー・低輝度低下率での加工が可能
高出力YAGレーザーを用い、高速度・高精度加工が可能
8inchホルダーによって10㎟角～6inchウェハまで様々なサイズに対応
形状認識システムによる操作性・スループットの向上を実現

主な仕様

対応ウェハ材質		Sapphire、SiC、Si
対応ウェハサイズ		2、3、4inch(不定形にも対応可)
加工精度		加工深さ：約50㎛
加工精度		加工線幅：約30㎛
装置特徴	オートアライメント	形状認識システムによる高精度・高スループット加工が可能
	バッチ処理	ワークカセット3個投入可能(ウェハ25枚/カセット)
	加工速度	高出力YAGレーザーにより100mm/secの加工速度

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No.12 微分干渉顕微鏡

概要

LED結晶の構造、表面形状および蛍光特性を評価することが可能
観測物の凹凸情報が定性的直観的に判る
CCDカメラにて画像を取り込み測長等の解析が可能

主な仕様

型式	LV150 （落射照明専用機）	LV100D （落射照明/透過照明両用機）
観察法	明視野・暗視野・微分干渉観察タイプ
鏡筒	三眼鏡筒（デジカメ装着可能）
ステージ移動量	150×150mm （ウェハホルダー/ESDプレート）	150×100mm （ガラスプレート）
総合倍率	50、100、200、500、1000×

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