■日　時：平成29年5月9日　17時～18時
■場　所：名城大学・天白キャンパス　共通講義棟東　H201
■講　師：Ngo Huong氏（Bernard Gilフランス国・モンペリエ大学教授・本学名誉博士の代講）
■出席者：48名（大学院生：30名、学部生：13名、教員：3名、その他：2名）
■内　容：
　本学の名誉博士であるフランス国・モンペリエ大学のBernard Gil教授に、本学大学院生に英語による特別講義を依頼したところ、同教授の弟子であるHuong氏が、来日し代講をして頂けることになった。5月8日に名古屋に到着され、8日は本学大学院生による研究室見学を行い、9日に本学の大学院生に向けて英語で講義を行ってもらった。また、学部生にも大学院進学をエンハンスするためにあわせて参加を促した。
　講義の内容は、InGaN系量子井戸構造の緑色・黄色・赤色発光層の光学的評価に関するものである。窒化物半導体は赤﨑勇終身教授や天野浩名古屋大学教授らの研究を通して高性能青色LEDが実現されている材料であるが、現状緑色LEDをはじめとした様々な応用が進められている。その一方で、青色LEDの性能に比べ、緑色や黄色、赤色の窒化物半導体LEDは効率が低いことが問題として残されている。
　本講義では、様々なサンプルの多重量子井戸構造における発光層の構造を検討した結果を詳細に議論、特にデータの解析手法に関して講義をされた。学生にとっては英語の講義はハードルが高かったが、高い刺激があったと思われる。また、本学の光デバイス研究は世界的に高いレベルを誇っているが、その一方で学理の追求という点で不十分な点があるため、フランス国のような学理の追及に長じたトップレベルの研究者からの講義は素晴らしい刺激があったと考えられる。後期にはスウェーデンのリンチョビン大学のBo Monemar教授の招へいを予定しており、学生が自ら学ぶ環境が整っていくことを期待したいと思われる。

■写　真：講義を行ったHuong氏の講義風景、およびディスカッションを受けている写真