日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会はナノ構造作製およびエピタキシャル成長に関する技術の進歩・発展を目指し毎年講演会を開催しており今回で12回目に至っています。例年は全国の大学で開催されていましたが、本年はコロナウイルス感染症の世界的な大流行もありオンラインで開催されました。同講演会で、結晶成長および関連研究の発展に貢献する優秀な発表をした若手研究者に発表奨励賞を授与しています。

受賞者が行った研究課題は、UV-B領域の半導体レーザにおけるクラッド層の結晶成長学・応用物理学的な技術的課題の詳細に関するものです。一般的に半導体材料においては不純物を添加することによって高い導電性を得ていますが、UV-B領域の半導体レーザにおいては過剰な不純物ドーピングが導電性を下げてしまうなどの知見を得ており、それらの結果が審査委員に高く評価され今回の受賞につながりました。本研究は、オンラインで開催される「第81回応用物理学会秋季学術講演会」でも口頭発表する予定となっており、さらなる研究の発展が期待できます。