谷川 智也さん（理工学研究科材料機能工学専攻修士課程1年、半導体工学研究室）

ワイドギャップ半導体学会 WideG 特別公開シンポジウム2026
　優秀ポスター発表賞

AlGaN 系紫外レーザーダイオードにおける有効格子不整合度が閾値特性に及ぼす影響

2026年8月31日開催の WideG 特別公開シンポジウム2026で、19件の学生ポスター発表の中から優秀ポスター発表賞に選ばれました。

本研究では、AlGaN 系深紫外半導体レーザーの高性能化に向け、長波長化に伴う閾値電流密度の増加要因を調査しました。特に、活性層と下地層の有効格子不整合度に着目し、結晶とデバイスの特性を系統的に評価することで、表面形態の変化と内部光損失の増加が閾値特性に影響する可能性を示しました。

本成果は、深紫外半導体レーザーの高効率化に向けた結晶成長・デバイス設計の指針につながるものと期待されます。