第１７回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ　
　優秀ポスター賞

AlGaN 系 UV-B レーザーダイオードの高効率化に向けた EBL の構造設計

guide/EBL 界面に形成される Al 組成傾斜層の増加に伴う ηi 低下要因を解析しました。

その結果、傾斜層膜厚の増加により guide/EBL 界面近傍の自由電子分布と負電場領域が guide 層側へ拡大し、EBL 到達時の電位上昇量が増加することで、電子障壁 φc が低下することが分かりました。そこで、高温成長による高結晶品質化を見据え、界面傾斜が存在しても φc 低下を抑制し、高い ηi を維持可能なEBL構造を検討しました。