トップページ/ニュース 低抵抗・低コストGaNトンネル接合を実現 ~高効率GaNレーザー実現のための基盤技術のひとつを確立〜 理工学部 竹内教授が発表

文部科学省主催のシンポで解説

  • 記者発表する竹内教授 記者発表する竹内教授

本学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授(本学光デバイス研究センター長)らの研究グループは、青色LEDを発展させた、安全・安心な社会実現に寄与する新しい光デバイス(半導体レーザー)の開発を目指す中で、高効率GaN(窒化ガリウム)レーザーを実現するための新しい基盤技術のひとつを確立し、5月16日、東京で発表しました。

東京都千代田区の学術総合センターで、成果の記者発表会が開かれました
本研究は、文部科学省の「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の一環。同研究開発では、GaN の結晶に関する研究を進める「中核拠点」、結晶やデバイスの先端的評価を行う「評価基盤領域」、そして、デバイス応用を担う「パワーデバイス・システム領域」、「レーザーデバイス・システム領域」が、それぞれ連携しています。
竹内教授は「レーザーデバイス・システム領域」の代表。発表によると、研究成果のポイントは3点。

  1. 現状、50%未満にとどまっているGaNレーザーの効率を大きく改善する「低抵抗・低コストGaNトンネル接合」を実証。
  2. 従来の理論では到達し得ない不純物濃度プロファイルが、上記低抵抗化(2×10-4 Ωcm2)に重要であったことを発見。
  3. この低抵抗GaNトンネル接合は、生産性の高い(低コストの)有機金属化合物成長装置(MOVPE装置)1種類のみで形成、低コストを実現。

竹内教授は「今後はレーザーの効率を上げたい」と抱負を述べました。

記者発表会に続いて同センター内の一橋講堂で開かれた文部科学省主催のシンポジウム「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発-青からパワーへ 離陸する革新的省エネ技術-」で、竹内教授は成果を詳しく解説しました。

詳細はプレスリリースをご覧ください。

●報道内容の概要 レーザー領域.pdf

●GaN レーザーデバイスにおける高効率電流注入技術の確立.pdf

天野特別栄誉教授も省エネに寄与する意気込み示す

  • 次世代半導体研究の成果を発表した竹内教授(右端)、天野教授(左端)ら 次世代半導体研究の成果を発表した竹内教授(右端)、天野教授(左端)ら

2014年に赤崎勇終身教授・特別栄誉教授と一緒にノーベル物理学賞を受けた天野浩特別栄誉教授/名古屋大学大学院教授は「中核拠点」代表で、記者発表会では、「pn ダイオードの逆方向リークの起源となる欠陥を正確に同定」と「大口径、厚いGaN 結晶の作製技術確立」について紹介しました。記者からは今後の見通しを聞かれ、省エネルギーでサステナブル(持続可能)な社会構築に寄与する意気込みを強調しました。

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