髙橋美月さん（理工学研究科材料機能工学専攻修士課程 2年、半導体研究室（指導教員：上山智教授))

ICNS-14　The Outstanding Poster Award

2023年11月17日

Optimization of in-reactor in-situ activation annealing conditions for tunnel junction layers of multi-quantum shell GaN-based LDs

2023年11月12日から17日に開催された第14回窒化物半導体国際会議（14th International Conference of Nitride Semiconductors: ICNS-14）において The Outstanding Poster Award を受賞しました。本AwardはICNS-14で発表した400件を超えるのポスター発表の中から優秀な発表を行った若手研究者に対して与えられたものになります。

研究内容は、コアシェル型GaNナノワイヤを用いた半導体レーザーの実現に向けた取り組みに関するものです。そのデバイスを実現するための課題は様々ありますが、最も大きな課題の1つとして水素パッシベーションによる高抵抗化が挙げられます。その課題を打破するためにその場活性化アニールの適用を行いました。本研究では非極性面であるm面を持つナノワイヤ上に成長されたトンネル接合層の低抵抗化を目指し、炉内その場活性化アニール条件の最適化を行いました。本検討により、電気特性の改善が確認され炉内活性化アニールの効果があることが分かりました。その一方で、未だ抵抗が高いなどの課題があり、さらなる改善の必要性が確認されました。