山田凌矢さん （理工学研究科材料機能工学専攻修士課程1年、半導体研究室（指導教員：岩谷素顕教授))

ICNS-14　Best Student Award

2023年11月17日

Homoepitaxial regrowth of AlGaN on chemically mechanically polished AlGaN templates and its application to UV-B laser diodes

2023年11月12日から17日に開催された第14回窒化物半導体国際会議（14th International Conference of Nitride Semiconductors: ICNS-14）においてBest Student Awardを受賞しました。本AwardはICNS-14で発表した300件を超えるの学生発表の中から優秀な発表を行った学生に対して与えられたものになります。

本グループでは、周期的に形成したAlNナノピラー上にAlGaNを再成長することにより格子緩和した高品質なAlGaNが実現している。またこのAlGaN上にUV-B領域のレーザダイオードを作製し室温パルス発振を実現している。その一方で、結晶表面には10⁴cm^-2を超えるピットやヒロックが形成されることを報告している。本研究では、AlNナノピラー上に成長した格子緩和したAlGaNテンプレートをCMP化学機械研磨（CMP）処理し、その上にAlGaNをホモエピタキシャル再成長する方法によりヒロックが低減されることを見出した。さらに、その上にレーザー構造を作製することによりレーザー発振を確認したことなどを報告した。今後、デバイスの特性や歩留りの向上が期待されます。