太田貴之教授（理工学部　電気電子工学科）

公益財団法人 大幸財団　2024年度自然科学系学術研究助成

2024年9月26日

イオン化スパッタを用いた高電子移動度酸化物半導体の結晶化技術の創成

AIや電気自動車をはじめとして、情報デバイス関連機器の需要が加速度的に増大しており、各種デバイスの高性能化・小型化・低消費電力化・フレキシブル化が必要とされています。採択された助成課題は、例えば画素数8Kかつリフレッシュレート480Hzを実現する次世代ディスプレイ用の薄膜トランジスタ用材料、縦型ロジック・メモリデバイスに向けた三次元垂直集積化が可能な全酸化物材料トランジスタの開発、透明フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ用材料などをターゲットにしています。これらを実現するために必要な高電子移動度を有する酸化物半導体材料の結晶化技術を、高いイオンフラックスを有する大電力パルススパッタを用いて実現することを目指しています。