竹久哲平さん（理工学部研究科　材料機能工学専攻課程２年　竹内研究室）

日本結晶成長学会　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会　発表奨励賞

2025年7月18日

不純物添加しない分極ドープ組成傾斜AlGaN層の正孔濃度

2025年7月17日から19日にかけて北海道・利尻島で開催された「日本結晶成長学会・第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」において、発表奨励賞を受賞しました。
本研究では、深紫外LEDの高効率化を目指し、p型AlGaN層における分極ドーピングを用いた新たな電気伝導制御手法の開発に取り組みました。Hall効果測定により、AlN上にMgを添加しない分極ドープAlGaN層において、電荷中性条件に基づく理論値と同等の正孔濃度を初めて実証し、この成果が高く評価されました。今後は、この分極ドーピング手法を応用し、さらなる深紫外LEDの高効率化を目指して研究を進めてまいります。
写真は、同学会前会長である東京大学・藤岡洋教授より表彰を受けた際の記念撮影です。