トップページ／受賞 理工学研究科の齋藤巧夢さんが国際会議 GaN Marathon 2026 で Best Poster Award を受賞
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表彰会場での斎藤さん（左）
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斎藤さん（右）と岩谷素顕教授
| 受賞者 |
齋藤巧夢さん （理工学研究科電気・情報・材料・物質工学専攻博士後期課程1年、半導体工学研究室） |
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| 受賞名 |
GaN Marathon 2026 Best Poster Award |
| 受賞日 | 2026年6月10日 |
| 受賞テーマ |
Effect of Growth Temperature on Device Performance of AlGaN-Based UV-B Laser Diodes |
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イタリア・フィレンツェで開催された国際会議GaN Marathon 2026において、Best Poster Awardを受賞しました。本賞は、世界各国から参加した研究者の中で最も優れたポスター発表を行った研究者1名に授与されるものです。 本研究では、殺菌、医療、環境モニタリングなどへの応用が期待される深紫外レーザーダイオード（UV-B LD）の高効率化に取り組みました。シミュレーションと実験を組み合わせ、材料界面の急峻性がデバイス性能に与える影響を解明しました。その結果、ヘテロ界面の急峻性を重視した構造設計により、キャリア注入効率を15％から50％（従来比約3倍）に向上させました。さらに、サファイア基板上のUV-B領域（302～318 nm）において世界初となる連続発振（CW発振）を実現しました。これらの成果が高く評価され、今回の受賞に至りました。 |
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